bis是什么意思的缩写

氧化镓（Ga2O3）作为一种“超宽禁带半导体”材料，近期受到了持续关注。其在超宽禁带半导体中属于第四代半导体材料，与第三代半导体碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）相比，氧化镓的禁带宽度更高，达到4.9eV。这种特性使其具有耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。并且，同等规格下，氧化镓可以制造更小、更高性能的器件，节省配套散热和晶圆面积，进一步降低成本。

在2022年对氧化镓实施了出口，认为其在军事领域具有应用价值。这一事件引发了全球对氧化镓科研和产业的广泛关注。

关于氧化镓的性能和应用，它主要分为四大应用领域：

第一代半导体材料主要为硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体材料；第二代半导体材料为砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等具有较高迁移率的半导体材料；第三代半导体材料为碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料；而氧化镓（Ga2O3）、金刚石（C）、氮化铝（AlN）等则属于第四代超宽禁带半导体材料，另外还有锑化镓（GaSb）、锑化铟（InSb）等超窄禁带半导体材料。

氧化镓的应用方面，与第三代半导体材料有交叠，尤其在功率器件领域，因其超宽禁带特性，具有更突出的应用优势。第四代半导体的核心难点在于材料制备，一旦实现技术突破，将获得极大的市场价值。

按照禁带宽度排序的半导体材料图中，金刚石和氮化铝的衬底/外延工艺难度较大，成本高，难以进入功率器件领域。而氧化镓的晶体生长技术已经相对成熟，产业化主要以相氧化镓为主。

在氧化镓的应用领域，其四大机遇在于：单极替换双极、节能高效、容易大尺寸量产和可靠性要求高。目标市场包括长期和短期市场，长期市场主要是功率器件市场，短期市场则是中高压市场。

在射频器件领域，氧化镓的应用潜力巨大。由于GaN市场需要大尺寸、低成本的衬底，才能真正发挥GaN材料的优势。在同质衬底上生长的外延层品质最好，但GaN衬底价格高昂，限制了其在LED、消费电子等领域的应用。而氧化镓与GaN的晶格失配度较低，以氧化镓为衬底生长GaN，品质高且成本较低，有望在射频器件市场得到重要应用。

国内支持方面，对氧化镓领域也给予了大力扶持。由于国外对先进半导体材料的禁运，国内产业界呼唤国产化。在氧化镓的生长工艺中，由于直拉法原料挥发较多，成本较高，目前主流的氧化镓长晶工艺已逐步演变为有铱盖和模具的导模法。但由于铱坩埚的成本和损耗太高，产业界对无铱法开发的需求强烈。

近年来，氧化镓的学术研究、应用发展迅猛。国外日本在氧化镓产业中处于领先地位，已经实现了量产。而国内在衬底环节已经取得了重要进展，器件相关研究也达到了国际水平。针对氧化镓材料的缺点，国内外研究团队也在积极进行研究，解决导热率低、P型掺杂等问题。

在产业链和市场规模方面，氧化镓的价值主要体现在功率器件和射频器件领域。随着新能源汽车、5G等领域的快速发展，氧化镓的市场空间巨大。据预测，随着新能源车的渗透率提高，氧化镓的发展窗口十分充裕。而在射频器件领域，其市场规模可参考碳化硅外延氮化镓器件的市场规模。

《-Ga2O3-N型氧化镓单晶片规范》是国电子行业标准，由电子科技集团公司第四十六研究所制定。该规范为氧化镓单晶片的生产和应用提供了明确的标准。

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