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关于MOS（MOSFET的缩写）的基础知识

MOS，也被称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET），是一种电子开关器件。它有一个简称MOS管，最基本和常用的功能是通过在G级施加电压来控制S极与D极之间的开启与关闭。

关于MOS管的基本结构特点

MOS管具备以下主要特点：

1. 栅压输入阻抗高，它的栅极有绝缘膜氧化物，但是要注意防止静电和高压击穿造成的损坏。

2. 导通电阻低，能够达到毫欧级别，损耗小。

3. 开关速度快，并且开关损耗较小。

关于MOS的主要电参数特性

基于MOS的特点，在使用中最常关注的电特性参数包括：

BVDSS（源漏击穿电压）：用于评估DS两极间的耐压状况。在大功率MOS中，该电压通常要求达到千伏级别。在测试过程中，为确保芯片安全，通常使用绝缘氟油进行保护。

IDSS（源漏泄漏电流）：指的是DS沟道关闭时的泄漏电流，代表了MOS在非工作状态下的损耗，通常是微安级别。

IGSS（栅极泄漏流）：在一定的栅压过栅极的泄漏电流。

Vth（开启电压）：使漏极开始有电流时的栅极电压。

RDS（on）（导通电阻）：与MOS开启时的传输损耗有关，其值越大，MOS的损耗也越高。在测试过程中，为了确保准确性，通常采用四线法来消除金属探针自身电阻的影响。对于大功率MOS测试，需要采用能够承受高瞬时电流的探针。

VSD是漏源间体内反并联二极管正向压降，一般用于导通电感负载传来的反向电流。还有Ciss（输入电容）、Coss（输出电容）、Crss（反向传输电容）等电容参数以及Qgs、Qgd、Qg等栅电荷参数，这些都对MOS管的性能产生影响。MOS管的输出特性曲线和转移特性曲线也是研究MOS管的重要方面。通过这些曲线，我们可以更直观地了解MOS管的工作特性和性能表现。