钙氧钨氧是什么意思

半导体存储器之所以选择纳米氧化钨作为储存介质材料，主要因为其作为半导体材料具有出色的电化学性能，并且在电场作用下能够展现出可逆的电阻值变化特性。接下来，让我们深入探讨一下基于氧化钨存储元件的存储装置的制造过程。

制造流程一：

存储装置的构造包括插塞，插塞自基板顶面上升穿透过一层介电层。紧接着是底电极，其外表面含有钨元素，并从插塞的顶端向上延伸。环绕底电极的是绝缘材料，此绝缘材料与底电极外表面上的钨元素接触。位于底电极上方的存储元件由一氧化钨化合物构成，且此存储元件可编程为至少两种电阻状态。顶电极覆盖并接触存储元件。值得一提的是，插塞拥有第一侧向尺寸，而底电极的侧向尺寸与之平行且略小，这样设计有助于优化存储性能。

制造流程二：

钨氧化物存储部是通过使用非关键掩膜的氧化钨材料形成，或者在部分实例中，甚至无需使用任何掩膜即可完成构造。这里所揭示的存储器装置包括底电极和存储器元件，其中存储器元件位于底电极之上。存储器元件由具有多种电阻状态的钨氧化合物构成。上电极包含阻隔材料，它位于存储器元件之上，目的是防止金属离子从上电极移动到存储器中。